Inden april måned i år, skal den japanske virksomhed Elpida have tilbagebetalt deres gæld til kreditorerne. Som det ser ud lige nu, skylder Elpida 40 milliarder yen til den japanske regering og yderligere 80 milliarder yen, givet som kortvarige lån, til diverse banker. Hvis ikke det lykkedes at enten betale pengene tilbage eller finde en løsning, vil konsekvenserne af virksomhedens omstrukturering og evt. udgang fra branchen sende chokbølger gennem markedet, ikke kun for ramkredse til computere, men på hele computermarkedet som en helhed.
Problemet ligger i, at Elpida er en af de få producenter, som kan hamle op mod koreanske Samsung og Hynix samt amerikanske Micron Technology. Elpida har for nyligt igangsat masseproduktionen af 30nm DRAM moduler og har planer om at starte prøveproduktion af 25nm DRAM moduler op i Q2 2012, og derfor er de i en klasse hvor de kan give konkurrence til Samsung og Micron.
På verdensplan står Elpida for 17% af den samlede markedsandel, og det er alligevel en pæn del, og hvis Elpida går konkurs, betyder det reelt at PC producenterne får mindre mulighedhed for at forhandle med DRAM producenterne omkring priser på deres produkter. Sagt på en anden måde vil Elpidas evt. konkurs betyde at DRAM markedet vil blive meget ubalanceret og efterlade det helt domineret af Samsung, Hynix og Micron, som er de tre ledende producenter.
Nyheden om deres mulige insolvent erklæring kunne ikke komme på et værre tidspunkt, da netop Elpida for mindre end 3 uger siden offentliggjorde deres færdigudvikling af ReRAM standarden. Normale DRAM mister samtlige data når strømmen fjernes, men deres læse/skrive hastigheder er noget af det højest mulige i øjeblikket. Omvendt har NAND flash som jo benyttes i SSD diske, netop muligheden for at gemme data, selv når strømmen er fjernet, men NAND har slet ikke samme hastigheder sammenlignet med DRAM.
Her kommer ReRAM ind i billedet; ved at bruge et materiale der ændrer modstand i takt med at spændingen ændres, er ReRAM i stand til at gemme data, selv når strømmen fjernes, det kan læse/skrive data med høj hastighed selv ved lave spændinger, men antallet af operationer der kan udføres er voldsomt øget. Med en skrivehastighed på 10 ns (nanosekunder), har ReRAM altså næsten samme skrivehastighed som DRAM, men samtidig har de en holdbarhed på mere end 1 million writes, eller hvad der svarer til mere end det 10-dobbelte af NAND flash. Dette er opnået alene med 50nm teknologi, og Elpida har allerede annonceret at de vil masseproducere ReRAM til særligt mobil IT med 30nm teknologi i 2013.